خط مشی دسترسیدرباره ما
ثبت نامثبت نام
راهنماراهنما
فارسی
ورودورود
صفحه اصلیصفحه اصلی
جستجوی مدارک
تمام متن
منابع دیجیتالی
رکورد قبلیرکورد بعدی
Document Type : Latin Dissertation
Language of Document : English
Record Number : 152399
Doc. No : ET24191
Main Entry : Antoine Khoueir
Title Proper : Oxpitride Gate Dielectrics for Deep Sub-micron MOS DevicesPOMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES
Note : This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract : The continuous demand for improved CMOS transistors necessitate smallerdevice dimensions. The reduction in chip size into the deep sub-micron dimensions opensup new scientific and engineering challenges. One of the most critical material in.
Subject : Electericl tess
: برق
electronic file name : TL48393.pdf
Title and statement of responsibility and : Oxpitride Gate Dielectrics for Deep Sub-micron MOS DevicesPOMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES [Thesis]
 
 
 
(در صورت عدم وضوح تصویر اینجا را کلیک نمایید)