This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
دانشگاه آزاد اسلامی اصفهان(خوراسگان)
منو
درگاههای جستجو
مدارک
جستجوی پیشرفته
مرور
جستجو در سایر کتابخانه ها
مستندات
جستجوی پیشرفته
مرور
منابع دیجیتال
تمام متن
اصطلاحنامه
درختواره
پرسش و پاسخ
سوالات متداول
پرسش از کتابدار
پیگیری پرسش
ورود
ثبت نام
راهنما
خطا
رکورد قبلی
رکورد بعدی
"
A TERAHERTZ INVESTIGATION OF THE CONDUCTION MECHANISM IN POROUS SILICON
"
Document Type
:
Latin Dissertation
Language of Document
:
English
Record Number
:
149507
Doc. No
:
ET21299
Main Entry
:
SUCHITRA RAMANI
Title Proper
:
A TERAHERTZ INVESTIGATION OF THE CONDUCTION MECHANISM IN POROUS SILICON
Note
:
This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract
:
I would like to express my sincere thanks to my Advisor and my Guru, Dr. AlanCheville for giving me a second opportunity to work on this research project. I owe it tohim for nurturing my research abilities and providing me with constant guidance andsupport. I feel privileged to work on this project with a بnaked scientistپ attitude in mind.A special note of thanks to Dr. Daniel Grischkowsky for being my mentor in myformative years of this research.
Subject
:
Electericl tess
:
برق
electronic file name
:
TL44456.pdf
Title and statement of responsibility and
:
A TERAHERTZ INVESTIGATION OF THE CONDUCTION MECHANISM IN POROUS SILICON [Thesis]
http://localhost/site/catalogue/149507
آدرس ثابت
پیوستها
عنوان :
نام فایل :
نوع عام محتوا :
نوع ماده :
فرمت :
سایز :
عرض :
طول :
TL44456.pdf
TL44456.pdf
پایان نامه لاتین
متن
application/octet-stream
1.53 MB
85
85
نمایش
نظرسنجی