This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
دانشگاه آزاد اسلامی اصفهان(خوراسگان)
منو
درگاههای جستجو
مدارک
جستجوی پیشرفته
مرور
جستجو در سایر کتابخانه ها
مستندات
جستجوی پیشرفته
مرور
منابع دیجیتال
تمام متن
اصطلاحنامه
درختواره
پرسش و پاسخ
سوالات متداول
پرسش از کتابدار
پیگیری پرسش
ورود
ثبت نام
راهنما
خطا
رکورد قبلی
رکورد بعدی
"
Carrier Dynamics in the Nitride Semiconductors
"
Document Type
:
Latin Dissertation
Language of Document
:
English
Record Number
:
148903
Doc. No
:
ET20695
Main Entry
:
Kian-Giap Gan
Title Proper
:
Carrier Dynamics in the Nitride Semiconductors
Note
:
This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract
:
The group-I11 nitride semiconductor alloys A1N-GaN-InN are recognized as animportant material system for optoelectronic devices in the spectral range frominfrared to ultraviolet. This thesis will investigate the carrier relaxation andcarrier transport dynamics in InGaN, which are important for high speed devicedesign..
Subject
:
Electericl tess
:
برق
electronic file name
:
TL43835.pdf
Title and statement of responsibility and
:
Carrier Dynamics in the Nitride Semiconductors [Thesis]
http://localhost/site/catalogue/148903
آدرس ثابت
پیوستها
عنوان :
نام فایل :
نوع عام محتوا :
نوع ماده :
فرمت :
سایز :
عرض :
طول :
TL43835.pdf
TL43835.pdf
پایان نامه لاتین
متن
application/octet-stream
3.01 MB
85
85
نمایش
نظرسنجی