خط مشی دسترسیدرباره ما
ثبت نامثبت نام
راهنماراهنما
فارسی
ورودورود
صفحه اصلیصفحه اصلی
جستجوی مدارک
تمام متن
منابع دیجیتالی
رکورد قبلیرکورد بعدی
Document Type : Latin Dissertation
Language of Document : English
Record Number : 154577
Doc. No : ET26369
Main Entry : Kenneth Hoi Kan Yau
Title Proper : NOISE MODELLING OF SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS AT MILLIMETRE-WAVE FREQUENCIES.POMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES
Note : This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract : Using 2D device simulations, it is predicted that the cutoff frequencies of SiGe HBTs canbe scaled beyond 5OOGHz. These devices have the potential to enable advanced millimetre-wave circuits. However, shot noise correlation, which is captured through noise transit time,becomes increasingly important as circuit designers continue to push the operating frequenciesof the circuits..
Subject : Electericl tess
: برق
electronic file name : TL50642.pdf
Title and statement of responsibility and : NOISE MODELLING OF SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS AT MILLIMETRE-WAVE FREQUENCIES.POMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES [Thesis]
 
 
 
(در صورت عدم وضوح تصویر اینجا را کلیک نمایید)