D~VELOPPEMENT ET CARA&RISATION D'UN PROCBDE DE FABRICATION 0.8 MICRON CMOS SUR SUBSTRAT SO1POMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES

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Document Type	:	Latin Dissertation
Language of Document	:	English
Record Number	:	153090
Doc. No	:	ET24882
Main Entry	:	S~PHANE MARTEL
Title Proper	:	D~VELOPPEMENT ET CARARISATION D'UN PROCBDE DE FABRICATION 0.8 MICRON CMOS SUR SUBSTRAT SO1POMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES
Note	:	This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract	:	The use of SO1 (Silicon on Insulator) substrates for CMOS processes, instead of thetraditional bulk or EPI materials. allows tk MOSFET to bentfit fiom numerousadvantages. Among the improvements reported, we find substantll leakage currentreduction. and thcrcforc reduced power consumption for the integrated circuits, MOSFET.
Subject	:	Electericl tess
	:	برق
electronic file name	:	TL49093.pdf
Title and statement of responsibility and	:	D~VELOPPEMENT ET CARARISATION D'UN PROCBDE DE FABRICATION 0.8 MICRON CMOS SUR SUBSTRAT SO1POMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES [Thesis]