خط مشی دسترسیدرباره ما
ثبت نامثبت نام
راهنماراهنما
فارسی
ورودورود
صفحه اصلیصفحه اصلی
جستجوی مدارک
تمام متن
منابع دیجیتالی
رکورد قبلیرکورد بعدی
Document Type : Latin Dissertation
Language of Document : English
Record Number : 152839
Doc. No : ET24631
Main Entry : Prof. N. G . Tarr
Title Proper : "Low Temperature SFd02 ECR Plasma Etching for Polysilicon Gates"POMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES
Note : This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract : In previous research SF6 plasma etching at substrate temperatures near- 130 " C has beenshown to provide a promising alternative to conventional chlorine or bromine plasmaetching for polysilicon gate formation in deep submicron CMOS. This thesis examines.
Subject : Electericl tess
: برق
electronic file name : TL48840.pdf
Title and statement of responsibility and : "Low Temperature SFd02 ECR Plasma Etching for Polysilicon Gates"POMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES [Thesis]
 
 
 
(در صورت عدم وضوح تصویر اینجا را کلیک نمایید)