This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
دانشگاه آزاد اسلامی اصفهان(خوراسگان)
منو
درگاههای جستجو
مدارک
جستجوی پیشرفته
مرور
جستجو در سایر کتابخانه ها
مستندات
جستجوی پیشرفته
مرور
منابع دیجیتال
تمام متن
اصطلاحنامه
درختواره
پرسش و پاسخ
سوالات متداول
پرسش از کتابدار
پیگیری پرسش
ورود
ثبت نام
راهنما
خطا
رکورد قبلی
رکورد بعدی
"
Lateral Superjunction Power MOSFETsPOMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES
"
Document Type
:
Latin Dissertation
Language of Document
:
English
Record Number
:
152647
Doc. No
:
ET24439
Main Entry
:
Mathew Atekwana Amberetu
Title Proper
:
Lateral Superjunction Power MOSFETsPOMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES
Note
:
This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract
:
Power semiconductor devices play a crucial role in the efficient control of power used inelectronic systems. There is a great need for the reduction of the power losses during switchingand on-state conduction of such devices.In this thesis a novel lateral power MOSFET compatible with CMOS on SO1 technologyand using the supe junction concept is proposed.The supe junction (SJ) concept, requires the use of a drain drift region consisting of alter-.
Subject
:
Electericl tess
:
برق
electronic file name
:
TL48646.pdf
Title and statement of responsibility and
:
Lateral Superjunction Power MOSFETsPOMPES PAR TRANSITIONS MULTIPLES [Thesis]
http://localhost/site/catalogue/152647
آدرس ثابت
پیوستها
عنوان :
نام فایل :
نوع عام محتوا :
نوع ماده :
فرمت :
سایز :
عرض :
طول :
TL48646.pdf
TL48646.pdf
پایان نامه لاتین
متن
application/octet-stream
2.58 MB
85
85
نمایش
نظرسنجی