This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
دانشگاه آزاد اسلامی اصفهان(خوراسگان)
منو
درگاههای جستجو
مدارک
جستجوی پیشرفته
مرور
جستجو در سایر کتابخانه ها
مستندات
جستجوی پیشرفته
مرور
منابع دیجیتال
تمام متن
اصطلاحنامه
درختواره
پرسش و پاسخ
سوالات متداول
پرسش از کتابدار
پیگیری پرسش
ورود
ثبت نام
راهنما
خطا
رکورد قبلی
رکورد بعدی
"
CMOS 110 STUDY ON LATCHUP AND ESD INTO THE NANOSCALING ERA WITH DFM CONSIDERATIONS
"
Document Type
:
Latin Dissertation
Language of Document
:
English
Record Number
:
149462
Doc. No
:
ET21254
Main Entry
:
Shi-hsuan (Stefan) Tu
Title Proper
:
CMOS 110 STUDY ON LATCHUP AND ESD INTO THE NANOSCALING ERA WITH DFM CONSIDERATIONS
Note
:
This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract
:
With CMOS transistors being scaled well into the nanometer regime, and ICdesigns becoming larger, faster and more complex, I/Os become a very important designfactor. As daily consumer technology constantly requires more and more bandwidth andspeed for multimedia applications, more and more industry leaders increase functionalitywhile decreasing the size.
Subject
:
Electericl tess
:
برق
electronic file name
:
TL44409.pdf
Title and statement of responsibility and
:
CMOS 110 STUDY ON LATCHUP AND ESD INTO THE NANOSCALING ERA WITH DFM CONSIDERATIONS [Thesis]
http://localhost/site/catalogue/149462
آدرس ثابت
پیوستها
عنوان :
نام فایل :
نوع عام محتوا :
نوع ماده :
فرمت :
سایز :
عرض :
طول :
TL44409.pdf
TL44409.pdf
پایان نامه لاتین
متن
application/octet-stream
4.73 MB
85
85
نمایش
نظرسنجی