خط مشی دسترسیدرباره ما
ثبت نامثبت نام
راهنماراهنما
فارسی
ورودورود
صفحه اصلیصفحه اصلی
جستجوی مدارک
تمام متن
منابع دیجیتالی
رکورد قبلیرکورد بعدی
Document Type : Latin Dissertation
Language of Document : English
Record Number : 148923
Doc. No : ET20715
Main Entry : THOMAS ALLEN PHILLIPS
Title Proper : MODELING OF A DOUBLE-GATE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (MOSFET)
Note : This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract : Recently, the fabrication of a double-gate MOSFET SO1 (silicon on insulator) device hasbeen reported. The goal of this project was to develop a finite difference model (FDM) and anEKV compact model to simulate the operation of the double-gate MOSFET. The finitedifference method was used to discretize the semiconductor equations over a two-dimensional,.
Subject : Electericl tess
: برق
electronic file name : TL43855.pdf
Title and statement of responsibility and : MODELING OF A DOUBLE-GATE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (MOSFET) [Thesis]
 
 
 
(در صورت عدم وضوح تصویر اینجا را کلیک نمایید)