This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
دانشگاه آزاد اسلامی اصفهان(خوراسگان)
منو
درگاههای جستجو
مدارک
جستجوی پیشرفته
مرور
جستجو در سایر کتابخانه ها
مستندات
جستجوی پیشرفته
مرور
منابع دیجیتال
تمام متن
اصطلاحنامه
درختواره
پرسش و پاسخ
سوالات متداول
پرسش از کتابدار
پیگیری پرسش
ورود
ثبت نام
راهنما
خطا
رکورد قبلی
رکورد بعدی
"
Analytical Modeling of Short Channel Effects in Double Gate MOSFET
"
Document Type
:
Latin Dissertation
Language of Document
:
English
Record Number
:
148776
Doc. No
:
ET20568
Main Entry
:
Xiaoping Liang
Title Proper
:
Analytical Modeling of Short Channel Effects in Double Gate MOSFET
Note
:
This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract
:
aT Process description up to raised source and drain. 1E TG patterning andencapsulation oxide deposition. 2s Bonding. 3s Initial substrate and BOXremoval. 4w BG patterning with alignment on the same e-beam marks as theones used for TG, extension implant, spacer formation, source/drain selectiveepitaxy growth and implant, and nickel salicidation. Back-end follows astandard CMOS sequence. (b) TEM cross section of a 10-nm-gate-lengthplanar double-metal-gate transistor with a 10-nm channel thickness with raisednickel silicided source and drain and poly-TiN gate. Inset: TEM cross sectionof a 20-nm perfectly aligned DGMOSFET..
Subject
:
Electericl tess
:
برق
electronic file name
:
TL43707.pdf
Title and statement of responsibility and
:
Analytical Modeling of Short Channel Effects in Double Gate MOSFET [Thesis]
http://localhost/site/catalogue/148776
آدرس ثابت
پیوستها
عنوان :
نام فایل :
نوع عام محتوا :
نوع ماده :
فرمت :
سایز :
عرض :
طول :
TL43707.pdf
TL43707.pdf
پایان نامه لاتین
متن
application/octet-stream
2.68 MB
85
85
نمایش
نظرسنجی