This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
This page uses JavaScript and requires a JavaScript enabled browser.Your browser is not JavaScript enabled.
دانشگاه آزاد اسلامی اصفهان(خوراسگان)
منو
درگاههای جستجو
مدارک
جستجوی پیشرفته
مرور
جستجو در سایر کتابخانه ها
مستندات
جستجوی پیشرفته
مرور
منابع دیجیتال
تمام متن
اصطلاحنامه
درختواره
پرسش و پاسخ
سوالات متداول
پرسش از کتابدار
پیگیری پرسش
ورود
ثبت نام
راهنما
خطا
رکورد قبلی
رکورد بعدی
"
SWITCHING IN MAGNETIC MEMORY ELEMENT OF TOGGLE MODE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
"
Document Type
:
Latin Dissertation
Language of Document
:
English
Record Number
:
148547
Doc. No
:
ET20339
Main Entry
:
SHENGYUAN WANG
Title Proper
:
SWITCHING IN MAGNETIC MEMORY ELEMENT OF TOGGLE MODE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
Note
:
This document is digital این مدرک بصورت الکترونیکی می باشد
Abstract
:
Switching behavior of synthetic antiferromagnet (SAF) structure to be used as thememory elements of the "Toggle-Mode Magnetoresistive Random Access Memory(T-MRAM)" recently invented as a breakthrough for solving the critical problemon operating field margin and scalability encountered in developing MRAMs wasinvestigated.By using analytical methods with an aid of numerical calculations, the critical.
Subject
:
Electericl tess
:
برق
electronic file name
:
TL43466.pdf
Title and statement of responsibility and
:
SWITCHING IN MAGNETIC MEMORY ELEMENT OF TOGGLE MODE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY [Thesis]
http://localhost/site/catalogue/148547
آدرس ثابت
پیوستها
عنوان :
نام فایل :
نوع عام محتوا :
نوع ماده :
فرمت :
سایز :
عرض :
طول :
TL43466.pdf
TL43466.pdf
پایان نامه لاتین
متن
application/octet-stream
4.19 MB
85
85
نمایش
نظرسنجی